ルネサスエレクトロニクス
本店:川崎市中原区下沼部1753番地

【商号履歴】
ルネサスエレクトロニクス株式会社(2010年4月1日~)
NECエレクトロニクス株式会社(2002年11月1日~2010年4月1日)

【株式上場履歴】
<東証1部>2003年7月24日~

【合併履歴】
2010年4月1日 株式会社ルネサステクノロジ
2006年11月 日 NECデバイスポート株式会社
2006年4月 日 NEC化合物デバイス株式会社

【沿革】
当社は、旧商法第373条以下の規定(以下「会社分割法制」という。)に基づく新設分割(以下「会社分割」という。)の方法により、平成14年8月30日に開催されたNECの臨時株主総会において承認された会社分割計画書に基づき、同社の汎用DRAM事業を除く半導体に関する研究、開発、製造、販売およびサービスに関する事業を承継するNECの100%子会社として平成14年11月1日に設立されました。このため、設立前については当時のNECにおける当社の事業に関係する事項について参考情報として記載しております。
明治32年7月 東京・三田(港区)において岩垂邦彦が米国ウェスタンエレクトリック社と共同で、電話機などの製造・販売を行う「日本電気㈱」を設立
昭和18年2月 社名を「住友通信工業㈱」に変更
昭和20年11月 社名を「日本電気㈱」に復帰
昭和24年4月 マイクロ波通信用ゲルマニウム・ミキシングダイオードの研究を開始
昭和25年8月 トランジスタの研究を開始
昭和36年4月 事業部制採用(電子部品事業部設置)
昭和41年11月 集積回路事業グループを設置
平成11年12月 汎用DRAM事業を分社化し、㈱日立製作所と共同出資によりエルピーダメモリ㈱(設立当初はNEC日立メモリ㈱)を設立
平成12年4月 社内カンパニー制導入。汎用DRAMを除く半導体事業はNECエレクトロンデバイス(現在はカンパニーではなく「エレクトロンデバイス事業」セグメント)に所属
平成14年5月 汎用DRAMを除く半導体事業を会社分割法制に基づき分社化する計画を発表
平成14年8月 臨時株主総会にて、汎用DRAMを除く半導体事業を会社分割する会社分割計画書を承認
平成14年11月 汎用DRAMを除く半導体事業を会社分割により分社化し、神奈川県川崎市に当社を設立(資本金50,000百万円)
平成15年7月 東京証券取引所市場第一部に株式を上場
平成16年5月 山形日本電気㈱の高畠工場における後工程部門を、台湾のASEグループに売却
平成16年7月 当社から試作部門を分社化し、試作サービスの提供を主要業務とするNECファブサーブ㈱を設立
平成16年10月 NECセミコンダクターズ九州㈱に山口日本電気㈱の組立および検査工程(後工程)を統合し、NECセミコンパッケージ・ソリューションズ㈱に社名変更
平成17年1月 山形日本電気㈱において300mmウエハ生産ラインの量産稼働開始
平成17年10月 首鋼日電電子有限公司の半導体開発および販売部門を北京NEC集成電路設計有限公司に統合し、日電電子(中国)有限公司に社名変更
平成18年4月 NEC化合物デバイス㈱を簡易合併方式により当社に吸収合併
平成18年9月 韓国における営業拠点としてNEC Electronics Korea Limitedを設立
平成18年9月 NEC Semiconductors Ireland Limitedの組立および検査工程(後工程)ラインを閉鎖
平成18年11月 NECデバイスポート㈱を簡易合併方式により当社に吸収合併
平成19年6月 NECファブサーブ㈱のフォトマスク事業を大日本印刷㈱へ譲渡