ユー・エム・シー・ジャパン
本店:千葉県館山市山本1580番地

【商号履歴】
ユー・エム・シー・ジャパン株式会社(2001年11月~2012年8月会社清算手続入り)
日本ファウンドリー株式会社(1999年1月~2001年11月)
日鉄セミコンダクター株式会社(1993年3月~1999年1月)
株式会社エヌ・エム・ビーセミコンダクター(1984年5月15日~1993年3月)

【株式上場履歴】
<ジャスダック>2004年12月13日~2010年3月19日(アルファ・ウィズダム・リミテッドとユナイテッド・マイクロエレクトロニクス・コーポレーションが全部取得)
<店頭>1989年8月29日~2004年12月12日(店頭登録制度廃止)

【沿革】
昭和59年5月 株式会社エヌ・エム・ビー セミコンダクターを東京都文京区に設立
昭和59年6月 インモスCorp.と技術提携に調印(高速CMOS 256K DRAM技術導入)
昭和59年8月 千葉県館山市に工場建設の認可、同時に建設着工
昭和60年2月 館山工場完成
昭和60年5月 工場始動(256K DRAM開発試作開始)
昭和61年3月 256K DRAM本格量産開始
昭和61年10月 本社を千葉県館山市に移転
昭和62年7月 1M DRAM エンジニアリング サンプル供給開始
昭和63年9月 ラムトロンCorp.と技術提携に調印(高速4M DRAM共同開発)
平成元年8月 店頭登録銘柄として社団法人日本証券業協会に登録
平成2年10月 千葉県館山市に第二工場(4M DRAM専用)完成
平成3年3月 米国インテルCorp.と業務提携に調印(フラッシュメモリー製造)
平成3年8月 4M DRAM エンジニアリング サンプル供給開始
平成5年3月 社名を日鉄セミコンダクター株式会社に変更
平成5年12月 株式会社日立製作所とファウンドリー契約(4M DRAM)
平成6年7月 米国インテルCorp.との業務提携解消を合意
平成7年5月 営業部を東京都千代田区に移転
平成8年1月 第二工場の設備増強(16M DRAM生産設備)完了
平成8年7月 第二工場16M DRAM量産開始
平成8年12月 品質システムについての国際規格ISO9001の認証を取得。株式会社日立製作所向けファウンドリー供給(4M DRAM)終了
平成9年4月 第一工場16M DRAM量産開始
平成9年12月 DRAM事業に加えロジックを中心とするファウンドリー事業の本格展開を決定
平成10年3月 第一工場MⅡライン休止
平成10年11月 第二工場MⅢライン休止
平成11年1月 社名を日本ファウンドリー株式会社に変更
平成11年11月 MⅡ(N2)ライン立上げ開始
平成12年4月 ストックオプション導入
平成12年11月 シャープ株式会社と生産協業について合意
平成13年7月 N3工場、第3事務棟など竣工
平成13年11月 社名をユー・エム・シー・ジャパン株式会社に変更
平成14年2月 沖電気工業株式会社と、0.22μmCMOSプロセスを共同開発
平成14年6月 0.18μmプロセス製品量産開始
平成14年10月 沖電気工業株式会社と、半導体事業における包括提携に調印
平成15年9月 環境マネジメントシステムについての国際規格であるISO14001の認証を取得
平成16年7月 0.15μmプロセス製品量産開始
平成16年12月 日本証券業協会への店頭登録を取消し、ジャスダック証券取引所に株式を上場
平成19年8月 東京オフィスを秋葉原へ移転