エフオーアイ
本店:神奈川県相模原市小山一丁目1番10号

【商号履歴】
株式会社エフオーアイ(~2010年5月22日破産申請)

【株式上場履歴】
<東証マザーズ>2009年11月20日~2010年6月15日(有価証券報告書虚偽記載)

【沿革】
当社は、平成6年10月に神奈川県川崎市高津区において半導体製造装置の開発・販売を目的とする会社として、株式会社エフオーアイを創業いたしました。
平成6年10月 神奈川県川崎市高津区に半導体製造装置の開発・販売を目的とした、株式会社エフオーアイ(資本金1,000万円)を設立。
平成8年4月 中小企業創造活動促進法の認定を受ける。
平成9年3月 株式会社神戸製鋼所と共同で、300mmシリコンウェハ用絶縁膜エッチング装置開発に着手。
平成10年8月 富士通VLSI株式会社とのOEM契約を締結。
平成12年3月 株式会社神戸製鋼所との共同開発契約を解消。当社単独で研究開発を再開。
平成12年9月 業容拡大のため神奈川県川崎市麻生区に本店を移転、テクノロジーセンターを開設。
平成14年5月 台湾に100%出資の子会社である東來科技股份有限公司を設立。
平成16年3月 業容拡大のため東京都町田市にテクノロジーセンターを開設。
平成16年10月 韓国に100%出資の子会社であるFOI KOREA CORPORATIONを設立。
平成16年11月 業容拡大のため神奈川県相模原市に本店を移転。
平成17年1月 町田テクノロジーセンターを閉鎖し、本社に統合。
平成17年3月 富士通VLSI株式会社とのOEM契約を解消。
平成18年10月 米国に100%出資の子会社であるFOI TECHNOLOGIES CORPORATIONを設立。